STGW10M65DF2

功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247

制造商:stmicroelectronics

系列:M

包装:管件

零件状态:在售

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,10A

功率 - 最大值:115W

开关能量:120μJ(开),270μJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:28nC

25°C 时 Td(开/关)值:19ns/91ns

测试条件:400V,10A,22 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):96ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

标准包装:1,200

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